SISTEMA DE DEPÓSITO POR CAPAS ATÓMICAS TÉRMICO PARA LA SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE ÓXIDO DE HAFNIO (THERMAL ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM FOR THE SYNTHESIS OF HAFNIUM OXIDE THIN FILMS)
Resumen
El depósito por capas atómicas (ALD, Atomic Layer Deposition) es un proceso de fabricación de películas delgadas que ha mantenido su relevancia durante los últimos años, impulsando a los laboratorios de nanofabricación a poseer, de forma casi obligatoria, un sistema de depósito atómico.
Por medio del diseño e implementación de un sistema mecatrónico basado en modelado mecánico CAD, instrumentación virtual y automatización, este trabajo presenta un equipo capaz de producir, de forma controlada y reproducible, películas nanométricas de óxido de hafnio utilizando Tetrakis (etilmetilamino) hafnio (IV) y vapor de agua como precursores, y nitrógeno como gas de purga.
Como resultado, las pruebas realizadas al equipo obtenido mostraron un control de la secuencia de depósito configurada desde una interfaz gráfica, un rango de temperatura de 25 a 700 °C, un flujo de nitrógeno entre los 0 y 200 SCCM, y una presión de vacío mínima de 14 mTorr.
Palabras Clave: ALD, Automatización, Óxido de Hafnio, Películas Nanométricas
Abstract
Atomic Layer Deposition (ALD) is an ultrathin film fabrication process that has remained relevant in recent years, prompting nanofabrication laboratories to have an atomic deposition system almost mandatory.
Through the design and implementation of a mechatronic system based on CAD mechanical modeling, virtual instrumentation and automation, this work presents an equipment capable of producing, in a controlled and reproducible way, nanometric hafnium oxide films using Tetrakis (ethylmethylamino) hafnium (IV ) and water vapor as precursors, and nitrogen as purge gas.
As a result, the tests performed on the equipment obtained showed a control of the deposition sequence configured from a graphical interface, a temperature range of 25 to 700 °C, a nitrogen flow between 0 and 200 SCCM, and a minimum vacuum pressure of 14 mTorr.
Keywords: ALD, Automation, Hafnium Oxide, Nanometric Films.
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756-773 PDFReferencias
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