Fabricación de láseres semiconductores basados en puntos cuánticos de InAs insertados en un pozo de InGaAs por EHM

Ismael Lara Velázquez, Ramón Díaz de León Zapata, Jorge Ortega Gallegos

Resumen


En esta comunicación presentamos los resultados de la fabricación de láseres semiconductores con su caracterización morfológica y óptica de láseres de confinamiento óptico y electrónico de puntos cuánticos autoensamblados de InAs crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares y el proceso post crecimiento de la heteroestructuras láser. El crecimiento fue monitoreado In Situ mediante RHEED con el haz de electrones incidente paralelo a la dirección [1 - 10]. Imágenes de microscopía de Fuerza Atómica (MFA) y de Efecto Túnel demostraron la formación de heteroestructuras nanométricas de geometrías distintas. Las películas fueron caracterizadas por fotoluminiscencia y se tomaron espectros a diferentes temperaturas. El dispositivo fue caracterizado eléctricamente por electroluminiscencia. Los láseres operan a
temperatura ambiente con corriente pulsada y con potencias pico de 12 mW.

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