DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SISTEMA DE MEDICIÓN COMBINADA DE 4-PUNTAS
Resumen
Resumen
Se ha desarrollado un sistema con diseño automatizado por medio de software para la medición de resistividad de materiales, en este caso semiconductores, por medio de la técnica de 4 puntas. El método Rymaszewski es utilizado para eliminar la dependencia geométrica de las muestras y sólo configurar la posición de las puntas conforme al método. Los resultados de resistividad obtenidos para las muestras CdS, PbS y ZnO son 11.8x106, 7.7x106 y 5.3x106 Ω.cm, respectivamente. Las películas han sido crecidas por síntesis y con grosores diferentes lo cual resultará en pequeñas pequeñas diferencias entre los resultados obtenidos y los resultados en la literatura: la síntesis del CdS y PbS ha sido por el método de depósito en baño químico (CBD, por sus siglas en inglés) y el ZnO por el método de depósito de capas atómicas (ALD, por sus siglas en inglés).
Palabras Claves: Cuatro puntas, Método Rymaszewski, resistividad, semiconductor.
DESIGN AND IMPLEMENTATION OF A COMBINED 4-POINT MEASUREMENT SYSTEM
Abstract
A software-automated system has been developed to measure the materials resistivity, in this case semiconductors, by the four point-probe technique. We neglected the sample geometry by using the Rymaszewski method but positioned the probes carefully according to the method. The resistivity results obtained for the samples CdS, PbS and ZnO are: 11.8x106, 7.7x106 & 5.3x106 Ω.cm, respectively. The thin films have been grown by different synthesis and thickness that means that the resistivity results will show some differences between the results obtained and the results in the literature: The CdS y PbS samples was grown by Chemical bath deposition (CBD) method and the ZnO sample was grown by Atomic Layer Deposition (ALD) method.
Keywords: Four point-probe, Rymaszewski method, resistivity, semiconductor.
Texto completo:
169-178 PDFReferencias
Ghaffar Faraj M., Effect of Thickness on the Structural and Electrical Properties of Spray Pyrolysed Lead Sulfide Thin Films. American Journal of Condensed Matter Physics, 2015.
Haibin Pan, Jianning Ding, et.al., Design of thin film resistivity measurements system based on virtual instrumentation technology. Journal of Jiangsu University, Natural science edition, 2010.
Haibin Pan, Boquan Li, et.al., Design, Implementation, and Assessment of a High-precision and Automation Measurement System for Thin Film Resistivity. Department pf Measurement and Control Technology, 2010.
Dieter K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization. Wiley IEEE Press, 2006.
Jian Zhang, Hui Yang, Qi-long Zhang, Shurong Dong, J.K. Luo, Structural, optical, electrical and resistive switching properties of ZnO thin films deposited by thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition. ELSIEVER, 2013.
Rymaszewski R., Relationship between the correction factor of the four-point probe value and the selection of potential and current electrodes. Journal of Scientific Instruments, Vol. 2, 1969.
Santiago Tepantlán C., Structural, optical and electrical properties of CdS thin films obtained by spray pyrolysis. Revista Mexicana de física, Vol. 2, 2008.
Measuring the Resistivity and Determining the Conductivity Type of Semiconductor Materials Using a Four-Point Collinear Probe and the Model 6221 DC and AC Current Source: www.keithley.com.
URL de la licencia: https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/deed.es
Pistas Educativas está bajo la Licencia Creative Commons Atribución 3.0 No portada.
TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO / INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CELAYA
Antonio García Cubas Pte #600 esq. Av. Tecnológico, Celaya, Gto. México
Tel. 461 61 17575 Ext 5450 y 5146
pistaseducativas@itcelaya.edu.mx